(2001年)2.DRAM:動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器,利用電容電荷存儲(chǔ)信息。
(2001年)6.邏輯地址:程序員編程所用的地址以及CPU通過指令訪問主存時(shí)所產(chǎn)生的地址。
(2001年)10.隨機(jī)存取方式:可按地址訪問存儲(chǔ)器任一編址單元,其訪問時(shí)間相同且與地址無關(guān)。
六年以來就考了這3個(gè)名稱解釋,而且近4年都沒有考,所以第三章的名稱解釋不是考試的重點(diǎn),這里給大家列出了名詞解釋大家要熟悉一下,這都是本章的基本概念,有利于做選擇題及填空題。
1.RAM:隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器,能夠快速方便的訪問地址中的內(nèi)容,訪問的速度與存儲(chǔ)位置無關(guān)。
2.ROM:只讀存儲(chǔ)器,一種只能讀取數(shù)據(jù)不能寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。
3.SRAM:靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器,采用雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)信息。
4.DRAM:動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器,利用電容電荷存儲(chǔ)信息。
5.EDO DRAM:增強(qiáng)數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ),采用快速頁面訪問模式并增加了一個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器以提高數(shù)據(jù)傳輸速率。
6.PROM:可編程的ROM,可以被用戶編程一次。
7.EPROM:可擦寫可編程的ROM,可以被用戶編程多次。靠紫外線激發(fā)浮置柵上的電荷以達(dá)到擦除的目的。
8.EEPROM:電可擦寫可編程的ROM,能夠用電子的方法擦除其中的內(nèi)容。
9.SDRAM:同步型動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器,在系統(tǒng)時(shí)鐘控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫。
10.快閃存儲(chǔ)器:一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,與EEPROM類似,能夠用電子的方法擦除其中的內(nèi)容。
11.相聯(lián)存儲(chǔ)器:一種按內(nèi)容訪問的存儲(chǔ)器,每個(gè)存儲(chǔ)單元有匹配電路,可用于是cache中查找數(shù)據(jù)。
12.多體交叉存儲(chǔ)器:由多個(gè)相互獨(dú)立、容量相同的存儲(chǔ)體構(gòu)成的存儲(chǔ)器,每個(gè)存儲(chǔ)體獨(dú)立工作,讀寫操作重疊進(jìn)行。
13.訪存局部性:CPU的一種存取特性,對(duì)存儲(chǔ)空間的90%的訪問局限于存儲(chǔ)空間的10%的區(qū)域中,而另外10%的訪問則分布在90%的區(qū)域中。
14.直接映象:cache的一種地址映象方式,一個(gè)主存塊只能映象到cache中的唯一一個(gè)指定塊。
15.全相聯(lián)映象:cache的一種地址映象方式,一個(gè)主存塊可映象到任何cache塊。
16.組相聯(lián)映象:cache的一種地址映象方式,將存儲(chǔ)空間分成若干組,各組之間用直接映象,組內(nèi)各塊之間用全相聯(lián)映象。
17.全寫法(寫直達(dá)法):cache命中時(shí)的一種更新策略,寫操作時(shí)將數(shù)據(jù)既寫入cache又寫入主存,但塊變更時(shí)不需要將調(diào)出的塊寫回主存。
18.寫回法:cache命中時(shí)的一種更新策略,寫cache時(shí)不寫主存,而當(dāng)cache數(shù)據(jù)被替換出去時(shí)才寫回主存。
19.按寫分配:cache不命中時(shí)的一種更新策略,寫操作時(shí)把對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)塊從主存調(diào)入cache.
20.不按寫分配:cache不命中時(shí)的一種更新策略,寫操作時(shí)該地址的數(shù)據(jù)塊不從主存調(diào)入cache.
一般寫回法采用按寫分配法,寫直達(dá)法則采用不按寫分配法。
21.虛擬存儲(chǔ)器:為了擴(kuò)大容量,把輔存當(dāng)作主存使用,所需要的程序和數(shù)據(jù)由輔助的軟件和硬件自動(dòng)地調(diào)入主存,對(duì)用戶來說,好像機(jī)器有一個(gè)容量很大的內(nèi)存,這個(gè)擴(kuò)大了的存儲(chǔ)空間稱為虛擬存儲(chǔ)器
22.層次化存儲(chǔ)體系:把各種不同存儲(chǔ)容量、不同訪問速度、不同成本的存儲(chǔ)器件按層次構(gòu)成多層的存儲(chǔ)器,并通過軟硬件的管理將其組成統(tǒng)一的整體,使所存儲(chǔ)的程序和數(shù)據(jù)按層次分布在各種存儲(chǔ)器件中。
23.訪問時(shí)間:從啟動(dòng)訪問存儲(chǔ)器操作到操作完成的時(shí)間。
24.訪問周期時(shí)間:從一次訪問存儲(chǔ)的操作到操作完成后可啟動(dòng)下一次操作的時(shí)間。
25.帶寬:存儲(chǔ)器在連續(xù)訪問時(shí)的數(shù)據(jù)吞吐率。
26.段式管理:一種虛擬存儲(chǔ)器的管理方式,把虛擬存儲(chǔ)空間分成段,段的長度可以任意設(shè)定,并可以放大或縮小。
27.頁式管理:一種虛擬存儲(chǔ)器的管理方式,把虛擬存儲(chǔ)空間和實(shí)際存儲(chǔ)空間等分成固定容量的頁,需要時(shí)裝入內(nèi)存,各頁可裝入主存中不同的實(shí)際頁面位置。
28.段頁式管理:一種虛擬存儲(chǔ)器的管理方式,將存儲(chǔ)空間邏輯模塊分成段,每段又分成若干頁。
29.固件:固化在硬件中的固定不變的常用軟件。
30.邏輯地址:程序員編程所用的地址以及CPU通過指令訪問主存時(shí)所產(chǎn)生的地址。
31.物理地址:實(shí)際的主存儲(chǔ)器的地址稱為“真實(shí)地址”。
二、選擇填空題:
歷年真題評(píng)析:
2000年:
5.動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是( )。
A.在工作中存儲(chǔ)器內(nèi)容會(huì)產(chǎn)生變化
B.每次讀出后,需要根據(jù)原存內(nèi)容重新寫入一遍
C.每隔一定時(shí)間,需要根據(jù)原存內(nèi)容重新寫入一遍
D.在工作中需要?jiǎng)討B(tài)地改變?cè)L存地址
「分析」:動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是利用電容存儲(chǔ)電荷的特性記錄信息,由于電容會(huì)放電,必須在電荷流失前對(duì)電容充電,即刷新。方法是每隔一定時(shí)間,根據(jù)原存內(nèi)容重新寫入一遍。
「答案」:C
8.地址線A15~A0(低),若選取用16K×1存儲(chǔ)芯片構(gòu)成64KB存儲(chǔ)器則應(yīng)由地址碼 譯碼產(chǎn)生片選信號(hào)。
「分析」:用16K×1芯片構(gòu)成64KB的存儲(chǔ)器,需要的芯片數(shù)量為:(64K×8)/(16K×1)=32,每8片一組分成4組,每組按位擴(kuò)展方式組成一個(gè)16K×8位的模塊,4個(gè)模塊按字?jǐn)U展方式構(gòu)成64KB的存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的容量為64K=216,需要16位地址,選用A15-A0為地址線;每個(gè)模塊的容量為16K=214需要14位地址,選用A13-A0為每個(gè)模塊提供地址;A15、A14通過2-4譯碼器對(duì)4個(gè)模塊進(jìn)行片選。
「答案」:Al5,A14
9.有靜態(tài)RAM與動(dòng)態(tài)RAM可供選擇,在構(gòu)成大容量主存時(shí),一般就選擇( )。
「分析」:靜態(tài)RAM特點(diǎn)是存取速度快,單位價(jià)格(每字節(jié)存儲(chǔ)空間的價(jià)格)較高;動(dòng)態(tài)RAM則是存取速度稍慢,單位價(jià)格較低。所以考慮價(jià)格因素,在構(gòu)成大容量的存儲(chǔ)器時(shí)一般選擇動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。
「答案」:動(dòng)態(tài)RAM
2001年:
11.高速緩沖存儲(chǔ)器 Cache 一般采?。?)。
A.隨機(jī)存取方式
B.順序存取方式
C.半順序存取方式
D.只讀不寫方式
「分析」:Cache是為提高存儲(chǔ)器帶寬而在主存儲(chǔ)器和CPU之間增加的存儲(chǔ)器,目的是用來存儲(chǔ)使用頻繁的數(shù)據(jù)和指令,存取方式應(yīng)與主存儲(chǔ)器相同,均為隨機(jī)存取方式。
「答案」:A
12.若存儲(chǔ)周期 250ns ,每次讀出 16 位,則該存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)傳送率為( )。
A.4 × 10 6 字節(jié) / 秒 B.4M 字節(jié) / 秒
C.8 × 10 6 字節(jié) / 秒 D.8M 字節(jié) / 秒
「分析」:存儲(chǔ)周期250ns,換算為250×10-9秒;每個(gè)存儲(chǔ)周期可讀出16位,為兩個(gè)字節(jié),則數(shù)據(jù)傳送率為:2字節(jié)/(250×10-9)秒,即8×106字節(jié)/秒。
「答案」:C
13.半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM 的存儲(chǔ)原理是( )。
A.依靠雙穩(wěn)態(tài)電路 B.依靠定時(shí)刷新
C.依靠讀后再生 D.信息不再變化
「分析」:半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM是由雙穩(wěn)態(tài)電路構(gòu)成,并依靠其穩(wěn)態(tài)特性來保存信息;動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM是利用電容器存儲(chǔ)電荷的特性存儲(chǔ)數(shù)據(jù),依靠定時(shí)刷新和讀后再生對(duì)信息進(jìn)行保存,而ROM中的信息一經(jīng)寫入就不再變化。
「答案」:A
2002年:
6.一般來講,直接映象常用在( )。
A.小容量高速Cache B.大容量高速Cache
C.小容量低速Cache D.大容量低速Cache
「分析」:直接映象的地址轉(zhuǎn)換速度快,但塊的沖突概率較高。在大容量高速Cache系統(tǒng)中使用直接映象方式,即可以發(fā)揮Cache的高速度,又可以減少塊的沖突概率。
「答案」:B
7.下列存儲(chǔ)器中,( )速度最快。
A.硬盤 B.光盤 C.磁帶 D.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
「分析」:由于存儲(chǔ)器原理和結(jié)構(gòu)的不同,各種存儲(chǔ)器的訪問速度各不相同。以上存儲(chǔ)器中訪問速度由快到慢的順序?yàn)椋喊雽?dǎo)體存儲(chǔ)器、硬盤、光盤、磁帶。
「答案」:D
2003年:
15.在下列 Cache 替換算法中,一般說來哪一種比較好( )。
A.隨機(jī)法 B.先進(jìn)先出法
C.后進(jìn)先出法 D.近期最少使用法
「分析」:在Cache替換算法中,隨機(jī)法是隨機(jī)地確定替換的存儲(chǔ)單元,先進(jìn)先出法是替換最早調(diào)入的存儲(chǔ)單元,它們都沒有根據(jù)程序訪存局部性原理,命中率較低;近期最少使用法比較正確地利用了程序訪存局部性原理,替換出近期用得最少的存儲(chǔ)塊,命中率較高,是一種比較好的替換算法。而后進(jìn)先出法不是Cache所使用的替換算法,此法在堆棧存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)中使用。
「答案」:D
2004年:
8. 表示主存容量的常用單位為( )。
A.數(shù)據(jù)塊數(shù) B.字節(jié)數(shù) C.扇區(qū)數(shù) D.記錄項(xiàng)數(shù)
「分析」:表示主存容量的常用單位字節(jié)B,是基本單位。此外還有KB、MB、GB、TB.
「答案」:B
11. 存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪問方式是指( )。
A.可隨意訪問存儲(chǔ)器
B.按隨機(jī)文件訪問存儲(chǔ)器
C.可對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀出與寫入
D.可按地址訪問存儲(chǔ)器任一編址單元,其訪問時(shí)間相同且與地址無關(guān)
「分析」:存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪問方式是指可按地址訪問存儲(chǔ)器任一編址單元,其訪問時(shí)間相同且與地址無關(guān)。
「答案」:D
2005年:
6.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是( )。
A.工作中存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)產(chǎn)生變化
B.工作中需要?jiǎng)討B(tài)改變?cè)L存地址
C.工作中需要?jiǎng)討B(tài)地改變供電電壓
D.需要定期刷新每個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的信息
「分析」:此題與2000年考題基本相同。動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是利用電容存儲(chǔ)電荷的特性記錄信息,由于電容會(huì)放電,必須在電荷流失前對(duì)電容充電,即刷新。方法是每隔一定時(shí)間,根據(jù)原存內(nèi)容重新寫入一遍。
「答案」:D
7.組相聯(lián)映象和全相聯(lián)映象通常適合于( )。
A.小容量Cache B.大容量Cache
C.小容量ROM D.大容量ROM
「分析」:直接映象的地址轉(zhuǎn)換速度快,但塊的沖突概率較高。在大容量高速Cache系統(tǒng)中使用直接映象方式,即可以發(fā)揮Cache的高速度,又可以減少塊的沖突概率。組相聯(lián)映象和全相聯(lián)映象速度較低,通常適合于小容量Cache.
「答案」:A